業界リーダーであるIDT社とEPC社が提携 ワイヤレス電力、RF、通信およびコンピューティングインフラ向けに技術を共同開発

 IDT®社(Integrated Device Technology, Inc.、本社:米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ:IDTI)は本日、広く認められている高速・高効率な半導体素材であるGaN(窒化ガリウム)ベースの技術をEPC(Efficient Power Conversion)社と共同で開発すると発表しました。本共同開発では、EPC社のeGaN® 技術とIDT社の先進ソリューションの融合について検討します。

 「GaNにより、高性能で他にない製品を開発し、お客様にお届けするまたとない機会が得られます。EPC社が得意とするGaNを使用した電力管理技術は、製品への組み込みに最適であり、GaNが元来もつすべてのメリットを活かした製品を、近い将来どのような形で市場に投入するかを検討するのを楽しみにしています」とIDT社のグローバルオペレーション担当バイスプレジデント兼CTO のSailesh Chittipeddiは述べています。

両社は下記3分野で共同開発します。

·      通信・コンピューティングインフラ

GaNの低容量およびゼロQRRをチップスケールパッケージの低インダクタンスと組み合わせることで、高周波・高効率が得られます。高効率化がIDT社の高精度な通信およびシステム化ノウハウと組み合わされることで、電力密度を向上し、通信・コンピューティングインフラに高い競争優位性をもたらします。

 

·      ワイヤレス給電

A4WP(Alliance for Wireless Power)コンソーシアム プロトコルの高共鳴ワイヤレス電力伝送規格の動作周波数は、6.78 MHzであり、GaNの高速かつ低損失スイッチング機能により、有線と同レベルの効率が実現できます。EPC社のGaNのノウハウとIDT社の高効率を実現する高精度ソリューションを組み合わせることで、ワイヤレス給電はさまざまなところで使用できるようになり、非常に高効率で費用対効果の高いソリューションを実現します。

 

·         高周波(RF)

 両社は、通信インフラ市場のRF製品群を共同で構築します。

「IDT社のような革新的な企業では、シリコンの限界回避策として実績のあるGaN技術を各社ソリューションに組み込む事例が増えています。われわれは、EPC社の非常に高速で効率のよいGaN技術をIDT社のお客様に届けるため、IDT社の技術者とともに仕事をするのを楽しみにしています」と、EPC社のCEO兼EPC社共同創設者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

IDT社について

 IDT 社(Integrated Device Technology, Inc.)は、顧客の用途に最適化したシステムレベルのソリューションを開発します。タイミング、シリアル・スイッチ、インタフェース、アナログやシステムに関する専門技術で市場のリーダーシップをとっています。これら技術を利用して、通信、コンピュータ、民生用電子機器の分野で、特定の用途に完全に最適化したミックスド・シグナル半導体のソリューションを提供しています。本社は、米国カリフォルニア州サンノゼ。世界中に設計、製造、販売の拠点があります。IDT社の株式はNASDAQ Global Select Stock Market®市場で取引されています。証券コードは「IDTI」。IDTに関する詳しい情報はwww.idt.comをご覧ください。FacebookLinkedInTwitterYouTubeGoogle+ でもお調べいただけます。

EPC社について

 EPC社は、エンハンストモードの窒化ガリウムを使用する電力管理デバイス分野でトップクラスの会社です。DC-DC コンバータワイヤレス電力伝送エンベロープトラッキング、RF伝送、パワーインバータリモートセンシング技術 (LiDAR)D級オーディオアンプなどのアプリケーションのパワーMOSFET代替品として、最上位シリコンパワーMOSFETの何倍ものデバイス性能をもつエンハンストモードGaNon-Si(eGaN)FETを最初に実現したのがEPC社です。EPC社についての詳細は、www.epc-co.com でご覧いただけます。FacebookTwitterYouTubeGoogle+ でもお調べいただけます。

  IDTおよびIDTのロゴは、Integrated Device Technology Inc.の商標または登録商標です。製品やサービスを特定するために使用されるその他のブランド名、製品名、マークは、各所有者の商標または登録商標の場合があります。

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