新しいRF電圧可変アッテネータは、低挿入損失と高直線性、周波数範囲1 MHz~6 GHzを実現

 

  IDT®社(Integrated Device Technology, Inc.、本社:米国カリフォルニア州サンノゼ、NASDAQ:IDTI)は本日、RF電圧可変アッテネータ(VVA)シリーズに2つの新製品が加わったことを発表しました。このF2255F2258の両アッテネータの周波数範囲は1 MHz~6 GHzで、VVAシリーズの既存の製品と同様に、業界をリードする低挿入損失と高い直線性を特徴としています。

  IDTのVVAは、高精度の減衰が要求される用途でのアナログ制御を可能にします。今回の新製品はどちらも、3mm×3mm、16ピンのコンパクトなTQFNパッケージで提供されます。挿入損失は競合製品に比べて半減しており、IP3性能は競合するガリウム砒素(GaAs)素子の1000倍(30 dB)であり、電圧制御範囲全体にわたってdB直線性の減衰特性を示します。挿入損失が低いため、RFチェーンパス損失が軽減されるとともに、高直線性によってシステムのデータレートも向上します。

  これら最新のアッテネータは一般的なフットプリントに適合し、基地局(2G、3G、4G)、マイクロ波インフラ、防災無線、携帯無線通信/データ装置、試験/ATE装置、軍事システム、JTRS無線、HF/VHF/UHF無線などに最適です。

  IDTのRF部門のゼネラルマネージャーであるChris Stephensは、次のように述べています。「IDTのシリコンベースのRF製品は、GaAsソリューションに比べて非常に優れた性能を備えており、最大30dBの直線性向上が得られます。これらのアッテネータの挿入損失は現在市販されているVVAの中でも最小であり、最高度の線減衰制御特性を実現しています」

  IDTのアッテネータでは、従来のGaAsベースの半導体技術よりも強固なシリコンベースのRF半導体技術が採用されています。シリコン技術により、RF性能が向上するとともに、より強固な静電放電(ESD)保護、感湿レベル(MSL)と熱性能の向上、電力消費量の低減、シリコン技術の高い信頼性というメリットが得られます。

  F2258とピン互換のGaAs競合製品とを比較すると、F2258では入力IP3が最大65dBm(GaAsは35dBm)、最大減衰傾度は33dB/V(GaAsは53dB/V)、6000MHzまでの最小反射損失は12.5dB(GaAsは7dB)、最高動作温度は105℃(GaAsは85℃)です。F2255での周波数範囲の下限値は1MHz、最大減衰傾度は33dB/Vです。F2255とF2258はどちらも双方向のRFポートを備えており、正電源電圧は3Vまたは5Vで、動作温度範囲は-40~105℃になっています。

IDT社のRF製品について
 IDT社は、コンパクトなパッケージで卓越した性能を発揮する、高性能かつフル機能を備えた無線周波数(RF)ミキサーおよびゲインコントロール製品を提供しています。RF信号パス製品には、低消費電力かつ低歪のRFから中間周波数(IF)のミキサー、および低ノイズかつ高性能の中間周波数(IF)可変ゲインアンプ(VGA)、低ノイズ高性能デジタルステップアッテネータ(DSA)、高性能低挿入損失RFスイッチなどがあります。これらのデバイスは、携帯電話の4G基地局、広帯域リピータ、分散アンテナ・システム、マイクロ波バックホール機器といった製品に理想的です。

IDT社について

 IDT 社(Integrated Device Technology, Inc.)は、顧客の用途に最適化したシステムレベルのソリューションを開発します。タイミング、シリアル・スイッチ、インタフェース、アナログやシステムに関する専門技術で市場のリーダーシップをとっています。これら技術を利用して、通信、コンピュータ、民生用電子機器の分野で、特定の用途に完全に最適化したミックスド・シグナル半導体のソリューションを提供しています。本社は、米国カリフォルニア州サンノゼ。世界中に設計、製造、販売の拠点があります。IDT社の株式はNASDAQ Global Select Stock Market®市場で取引されています。証券コードは「IDTI」。IDTに関する詳しい情報はwww.idt.comをご覧ください。FacebookLinkedInTwitterYouTubeGoogle+ でもお調べいただけます。

  IDTおよびIDTのロゴは、Integrated Device Technology Inc.の商標または登録商標です。製品やサービスを特定するために使用されるその他のブランド名、製品名、マークは、各所有者の商標または登録商標の場合があります。

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