RFアッテネータ

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IDTは、デジタルまたはアナログで制御するモノリシック型のシリコンRFアッテネータを数多く提供しています。いずれも広帯域幅かつ低挿入損失で、線形性と減衰特性に優れ、誤差が小さいことを特徴とします。無線インフラ(基地局)、広帯域インフラ(CATV)、マイクロ波無線、衛星/データ端末、汎用通信装置、テスト/計測装置などのアプリケーションを対象とします。

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IDTは、独自のGlitch-FreeTM技術を採用したデジタルステップアッテネータ(DSA)を開発しました。これにより、ソフトウェアインタフェースを簡素化し、信頼性を高め、パワーアンプなどの高価な部品の損傷を防ぎつつ、データコンバータに対する入力のオーバーレンジを回避することができます。革新的なGlitch-FreeTM技術は、MSBが遷移する際の過渡的なグリッチを最大で95%低減することにより、減衰を左右する送受信パスからのオーバーシュート(グリッチ)を抑えます。

また、より高精度な減衰を必要とするアプリケーションでは、アナログ制御が可能な電圧可変アッテネータ(VVA)を使用することができます。IDTのVVAは、挿入損失が競合他社の製品の約半分で、IP3性能が高く、電圧制御範囲の全体にわたって線形の減衰特性を実現します。IDTのアッテネータは、シリコンベースのRF半導体技術を採用しており、従来のGaAsベースの半導体技術を採用した製品よりも高い堅牢性が実現されています。シリコンを採用することによって、ESD(静電気放電)保護性能の強化、MSL(湿度感度レベル)と熱性能の向上、消費電流の削減といったメリットが得られます。また、シリコン技術の実証済みの信頼性をそのまま享受できます。